路透新加坡/北京5月15日电- - -消息人士和文件显示，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组的高带宽存储器(HBM)半导体的早期阶段。

HBM的进展——即使只是HBM的旧版本——代表着中国在努力减少对外国供应商的依赖方面迈出了重要一步。目前，中美关系紧张，导致美国限制向中国公司出口先进芯片组。

据三位知情人士透露，中国最大的DRAM(动态随机存取存储器)芯片制造商CXMT(长鑫存储)已与芯片封装和测试公司通富微电(002156.SZ)合作开发了HBM芯片样品。其中两人说，这些芯片正在向客户展示。

另一个例子是，据企业数据库企查查(Qichacha)的文件显示，武汉新芯正在建设一家工厂，该厂每月将能生产3000块12英寸HBM晶圆，预计将于今年2月开工。

两位知情人士说，CXMT(长鑫存储)和其他中国芯片公司也一直在与韩国和日本的半导体设备公司举行定期会议，以购买开发HBM的工具。

消息人士未获授权就此事发表评论，并拒绝透露身份。总部位于合肥的长鑫存储科技和通富微电没有回应置评请求。

已向监管机构表示有意上市的武汉新芯及其母公司没有回应置评请求。母公司也是NAND(闪存)存储器专业公司扬子存储器技术有限公司的母公司。YMTC(长江存储)表示，它没有能力大规模生产HBM。

CXMT(长鑫存储)和武汉新芯都是民营企业，在中国大举投资发展芯片行业之际，它们获得了地方政府的资金支持，用于推进技术发展。武汉地方政府也没有回应置评请求。

另外，据一位消息人士和另一位知情人士透露，被美国视为国家安全威胁并受到制裁的中国科技巨头华为(HWT.UL)计划在2026年之前与其他国内公司合作生产HBM2芯片。

今年4月，《资讯》报道称，以华为为首的一批公司计划制造HBM，其中包括同样受到美国制裁的存储芯片制造商福建省晋华集成电路有限公司(Fujian Jinhua Integrated Circuit)。

华为对其Ascend AI芯片的需求飙升，该公司拒绝置评。目前尚不清楚华为从哪里采购HBM。福建晋华没有回应置评请求。

HBM是2013年首次生产的一种DRAM标准，其芯片垂直堆叠以节省空间和降低功耗，是处理复杂人工智能应用程序产生的大量数据的理想选择，在人工智能热潮中需求飙升。

HBM市场由韩国的SK海力士(000660.KS)和三星(005930.KS)主导，三星是人工智能芯片巨头英伟达(NVDA.O)的唯一HBM供应商，三星也打开了新标签，美国公司美光科技(Micron Technology)也在较小程度上打开了新标签。这三家公司都生产最新标准——HBM3芯片，并正在努力在今年向客户推出第五代HBM或HMB3E。

据两位消息人士和另一位直接了解此事的人士透露，中国目前的努力重点是HBM2。

美国本身并没有限制HBM芯片的出口，但HBM3芯片是使用美国技术制造的，作为限制措施的一部分，包括华为在内的许多中国公司都被禁止使用。

白橡树资本(White Oak Capital)投资总监、曾担任IT行业分析师的Nori Chiou估计，中国芯片制造商在HBM方面落后全球竞争对手10年。

“中国面临着相当长的一段路要走，因为即使在传统内存市场领域，中国目前也缺乏与韩国同行竞争的竞争优势。”他说。

“尽管如此，(CXMT长鑫存储)与通富微电的合作为中国在HBM市场提升其在内存和先进封装技术方面的能力提供了重要机会。”

CXMT(长鑫存储)、通富微电和华为申请的专利表明，在国内开发HBM的计划至少可以追溯到三年前，当时中国芯片行业日益成为美国出口管制的目标。

根据Anaqua的AcclaimIP数据库，CXMT(长鑫存储)已经在美国、中国大陆和台湾申请了近130项专利，涉及与HBM芯片的制造和功能相关的不同技术问题。其中，14项专利于2022年，46项专利于2023年，69项专利于2024年。

上个月公布的一项中国专利显示，该公司正在研究混合键合等先进封装技术，以制造更强大的HBM产品。另一份文件显示，CXMT(长鑫存储)也在投资开发创建HBM3所需的技术。

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